Determination of complement to the value of thermal resistance of power semiconductor devices

V. S. Ostrenko


The author justifies the procedure for determining a complement to the value of thermal resistance of a direct current semiconductor device which permits to determine a maximum temperature of the device junction when loaded by current pulses.


power semiconductor device; pulse mode; thermal resistance; determination of complement; junction temperature


Phase Control Thyristors. Databook. Data Sheet. User’s Guide [Електронний ресурс]: пояснення до параметрів та характеристик тиристорів. ABB Semiconductors AG, корегування 01.03.1999 – Електронні данні (1 файл: 1,06 МБ). – Lenzburg, ABB Switzerland, 1998. Режим доступу: DocumentID=pctsek3&LanguageCode= en&DocumentPartID=&Action=Launch, вільний, – Загол. з екрану. – Англ.

Тиристоры низкочастотные таблеточного исполнения. [Електронний ресурс]: технические данные тиристоров / ОАО «Электровыпрямитель». – Электрон. дан. (1 файл). – Россия, Саранск, «Электровыпрямитель», 2009. – Режим доступа: nizkochast_tabl.php (свободный). – Загл. с экрана.

Phase Control Thyristors. Data Sheet. [Електронний ресурс]: параметри та характеристики тиристорів. ABB Semiconductors AG. – Електронні данні (1 файл). – Lenzburg, ABB Switzerland, 1998. Режим доступу:, вільний, - Загол. з екрану. – Англ.

GOST Style Citations

Article Metrics

Metrics Loading ...

Metrics powered by PLOS ALM

Copyright (c) 2017

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Address of the journal editorial office:

Editorial office of the the science journal "Electrical Engineering and Power Engineering" ("Electrotechnics and Electroenergetics")

Zaporozhye National Technical University, 

 Zhukovskiy street, 64, Zaporizhzhya, 69063, Ukraine. 

Telephone: +38-061-769-82-96 – the Editing and Publishing Department.


Reference to the journal is obligatory in the cases of complete or partial use of its materials.